三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元

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新华社报道,记者近日从占据 西安高新区的三星(中国)半导体有限公司采访了解到,三星半导体高端存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元。二期项目已于2018年3月开工建设,预计今年7月份建成,2020年一季度实现量产。

三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基在采访中说,三星半导体的存储芯片二期项目分为另另一个 阶段,第一阶段投资70亿美元,第二阶段完正计划还未出炉,但预计会超过70亿美元,总投资将超过140亿美元。

2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,生产“V-NAND”闪存芯片。一期项目于2014年5月竣工投产。“一期项目计划投资70亿美元,实际总投资超过了60 亿美元。”池贤基说。

据介绍,直接在中国生产“V-NAND”闪存芯片,将使三星更有数率地应对市场的变化和顾客的需求。池贤基说,三星半导体继续投建二期项目,表示朋友 对中国经济很有信心。

V-NAND有着在相同体积下容量增加、读写性能提升的优势。而三星的V-NAND存储硬盘占据 市场前列,主要竞争对手来自美国的硬盘厂商西部数据。